RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
46
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2497
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link