takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Puntuación global
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    5 left arrow 15.8
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    36 left arrow 46
    En -28% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 1,852.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 6400
    En 3.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    46 left arrow 36
  • Velocidad de lectura, GB/s
    5,535.6 left arrow 15.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,852.4 left arrow 11.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    858 left arrow 2497
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones