RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
46
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
10.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
8.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2349
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link