RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
10.8
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2349
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link