RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сравнить
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB против Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Средняя оценка
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
65
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.5
4.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
47
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
10.0
Скорость записи, Гб/сек
4.2
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
985
2308
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Сравнения RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link