RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
65
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
4.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
47
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
4.2
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
985
2308
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link