RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Confronto
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
65
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
4.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
47
Velocità di lettura, GB/s
6.1
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
4.2
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
985
2308
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Confronto tra le RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link