SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    38 left arrow 41
    Intorno 7% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.3 left arrow 10.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.0 left arrow 6.6
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    38 left arrow 41
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.9 left arrow 13.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    6.6 left arrow 9.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1406 left arrow 2016
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