RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
41
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
38
41
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2016
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link