RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2622
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link