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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
47
65
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
47
读取速度,GB/s
6.1
10.0
写入速度,GB/s
4.2
7.5
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2308
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
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