RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Gesamtnote
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gesamtnote
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
65
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
7.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
985
2308
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM-Vergleiche
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Mushkin 994083 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link