RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
92
Rund um 50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
92
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
8.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
1640
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link