RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
50
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
7.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
2134
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link