RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
50
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
13.4
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2134
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link