RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
19.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
4015
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link