RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3729
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link