RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
50
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
9.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
2471
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link