RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
50
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
11.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
2605
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link