RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
50
Rund um -150% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
15.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
3230
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link