RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
50
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
2320
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link