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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
50
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
2320
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
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