RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
11.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2900
2690
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Dark-2400 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link