RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
87
Rund um -98% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
9.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2386
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link