RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
87
Около -98% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
44
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
870.4
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2386
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link