RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
87
Rund um -181% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
14.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3363
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Corsair CMZ8GX3M1A1866C10 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link