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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
87
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
31
读取速度,GB/s
3,155.6
19.1
写入速度,GB/s
870.4
14.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3363
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
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