RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
87
Rund um -358% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
14.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2991
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link