RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
87
Около -358% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
19
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
18.8
Скорость записи, Гб/сек
870.4
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2991
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link