RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
71
87
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
7.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
1799
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link