RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
71
87
Intorno -23% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
71
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
1799
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link