RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
87
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
13.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3023
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link