RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
87
Autour de -200% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3023
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link