RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
87
Rund um -181% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
15.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3614
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link