RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
22
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
87
Rund um -412% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
22.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
16.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3704
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link