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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
22
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
87
Autour de -412% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
17
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
22.0
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3704
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
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G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
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