RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
21
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
87
Rund um -295% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
21.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
17.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3987
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link