RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
87
Wokół strony -295% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3987
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link