RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
66
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2340
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link