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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
66
En -164% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
2,978.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
2340
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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