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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
2,362.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
66
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
66
50
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
4,203.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
2,362.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
729
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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