RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
66
En -100% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
33
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
2800
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link