RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
87
Rund um -211% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
16.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3804
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link