RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
21.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
18.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
87
Rund um -164% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
21.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
18.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3959
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link