RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
21.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
18.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
87
Intorno -164% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
33
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
21.1
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
18.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3959
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link