RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
87
Rund um -211% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
17.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3762
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link