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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
87
En -211% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3762
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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