RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
87
Rund um -149% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
13.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3331
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link