RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
87
Wokół strony -149% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3331
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link