RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3912
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link